8-Megabit 1M x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | LBGA, BGA42,6X7,40 |
针数 | 42 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
最长访问时间 | 150 ns |
其他特性 | HARDWARE DATA PROTECTION; BYTE PROGRAMMABLE; TOP BOOT BLOCK |
启动块 | TOP |
命令用户界面 | YES |
数据轮询 | YES |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B42 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 14 mm |
内存密度 | 8388608 bi |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 1,1 |
端子数量 | 42 |
字数 | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 1MX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LBGA |
封装等效代码 | BGA42,6X7,40 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 3/3.3 V |
编程电压 | 2.7 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
座面最大高度 | 1.4 mm |
部门规模 | 16K,1008K |
最大待机电流 | 0.00005 A |
最大压摆率 | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
切换位 | YES |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 8 mm |
Base Number Matches | 1 |
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