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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> FM3100-MHT-H
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FM3100-MHT-H

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小93KB，共7页
制造商FORMOSA
官网地址http://www.formosams.com/
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FM3100-MHT-H概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon,

FM3100-MHT-H规格参数

参数名称属性值
厂商名称FORMOSA
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.85 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流200 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置DUAL

FM3100-MHT-H文档预览

Formosa MS
FM320-MHT THRU FM3100-MHT
Chip Schottky Barrier Rectifier
List
List................................................................................................. 1
Package outline............................................................................... 2
Features.......................................................................................... 2
Mechanical data............................................................................... 2
Maximum ratings ............................................................................. 2
Rating and characteristic curves........................................................ 3
Pinning information........................................................................... 4
Marking........................................................................................... 4
Suggested solder pad layout............................................................. 4
Packing information.......................................................................... 5
Reel packing.................................................................................... 6
Suggested thermal profiles for soldering processes............................. 6
High reliability test capabilities........................................................... 7
http://www.formosams.com/
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FAX:886-2-22696141
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Formosa MS
FM320-MHT THRU FM3100-MHT
Chip Schottky Barrier Rectifier
3.0A Surface Mount Schottky Barrier
Rectifiers - 20V-100V
Features
•
Batch process design, excellent power dissipation offers
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
better reverse leakage current and thermal resistance.
Low profile surface mounted application in order to
optimize board space.
Tiny plastic SMD package.
Low power loss, high efficiency.
High current capability, low forward voltage drop.
High surge capability.
Guardring for overvoltage protection.
Ultra high-speed switching.
Silicon epitaxial planar chip, metal silicon junction.
Lead-free parts meet environmental standards of
MIL-STD-19500 /228
Suffix "-H" indicates Halogen-free part, ex.FM320-MHT-H.
Package outline
SOD-123HT
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012(0.3) Typ.
0.071(1.8)
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.024(0.6)
0.004(0.10)Typ.
0.083(2.1)
0.031(0.8) Typ.
Mechanical data
•
Epoxy : UL94-V0 rated flame retardant
•
Case : Molded plastic, SOD-123HT
•
Terminals :Plated terminals, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
0.075(1.9)
0.024(0.6)Typ.
0.051(1.3)
0.043(1.1)
0.032(0.8)
0.028(0.6)
0.047(1.2)
0.039(1.0)
0.0335(0.85)
0.0296(0.75)
•
Polarity : Indicated by cathode band
•
Mounting Position : Any
•
Weight : Approximated 0.011 gram
0.047(1.2)
0.039(1.0)
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum ratings and Electrical Characteristics
(AT
PARAMETER
Forward rectified current
Forward surge current
See Fig.1
CONDITIONS
T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
Symbol
I
O
I
FSM
I
R
R
θJA
R
θJC
C
J
T
STG
-65
70
35
160
+175
MIN.
TYP.
MAX.
3.0
50
0.2
10
UNIT
A
A
8.3ms single half sine-wave (JEDEC methode)
V
R
= V
RRM
T
J
= 25
O
C
V
R
= V
RRM
T
J
= 100
O
C
Junction to ambient
Junction to case
f=1MHz and applied 4V DC reverse voltage
Reverse current
Thermal resistance
Diode junction capacitance
Storage temperature
mA
O
O
C/W
C/W
pF
O
C
SYMBOLS
FM320-MHT
FM330-MHT
FM340-MHT
FM350-MHT
FM360-MHT
FM380-MHT
FM3100-MHT
*1
V
RRM
(V)
20
30
40
50
60
80
100
V
RMS
*2
(V)
14
21
28
35
42
56
70
*3
V
R
(V)
20
30
40
50
60
80
100
*4
V
F
(V)
Operating
temperature
T
J
, (
O
C)
*1 Repetitive peak reverse voltage
-55 to +125
0.55
*2 RMS voltage
*3 Continuous reverse voltage
0.70
-55 to +150
0.85
*4 Maximum forward voltage@I
F
=3.0A
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Rating and characteristic curves (FM320-MHT THRU FM3100-MHT)
FIG.1-TYPICAL FORWARD CURRENT DERATING CURVE
AVERAGE FORWARD CURRENT,(A)
FIG.2-TYPICAL FORWARD
CHARACTERISTICS
3.0
2.5
FM
FM
50
35
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT,(A)
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40
60
80
100
LEAD TEMPERATURE,(°C)
FIG.3-MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD
SURGE CURRENT
50
32
0-M
~
HT
FM
34
20V ~ 40V
0-M
M3
~F
HT
10
0-M
HT
HT
10
3.0
1.0
50V ~ 60V
120
0-M
80V ~ 100V
140
160
180
200
0.1
T
J
=25 C
Pulse Width 300us
1% Duty Cycle
PEAK FORWARD SURGE CURRENT,(A)
40
.01
.1
.3
.5
.7
.9
1.1
1.3
1.5
30
T
J
=25 C
8.3ms Single Half
Sine Wave
JEDEC method
FORWARD VOLTAGE,(V)
20
10
FIG.5 - TYPICAL REVERSE
0
1
5
10
50
100
100
CHARACTERISTICS
20V~40V
50V~100V
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
10
FIG.4-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
700
600
500
400
300
200
100
0
REVERSE LEAKAGE CURRENT, (mA)
JUNCTION CAPACITANCE,(pF)
1.0
T
J
=100°C
0.1
T
J
=25°C
0.01
.01
.05
.1
.5
1
5
10
50
100
0.001
0
20
40
60
80
100
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE,(%)
REVERSE VOLTAGE,(V)
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FM320-MHT THRU FM3100-MHT
Chip Schottky Barrier Rectifier
Pinning information
Pin
Pin1
Pin2
cathode
anode
Simplified outline
Symbol
1
2
1
2
Marking
Type number
FM320-MHT
FM330-MHT
FM340-MHT
FM350-MHT
FM360-MHT
FM380-MHT
FM3100-MHT
Marking code
32
33
34
35
36
38
310
Suggested solder pad layout
SOD-123HT
0.036 (0.90)
0.044 (1.10)
0.048 (1.20)
0.075 (1.90)
0.036 (0.90)
0.028 (0.70)
Dimensions in inches and (millimeters)
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FM320-MHT THRU FM3100-MHT
Chip Schottky Barrier Rectifier
Packing information
P
0
P
1
d
E
F
B
W
A
P
D
2
T
C
D
W
1
D
1
unit:mm
Item
Symbol
Tolerance
SOD-123HT
Carrier width
Carrier length
Carrier depth
Sprocket hole
13" Reel outside diameter
13" Reel inner diameter
7" Reel outside diameter
7" Reel inner diameter
Feed hole diameter
Sprocket hole position
Punch hole position
Punch hole pitch
Sprocket hole pitch
Embossment center
Overall tape thickness
Tape width
Reel width
A
B
C
d
D
D
1
D
D
1
D
2
E
F
P
P
0
P
1
T
W
W
1
0.1
0.1
0.1
0.1
2.0
min
2.0
min
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.3
1.0
2.00
3.85
1.10
1.50
-
-
178.00
62.00
13.00
1.75
3.50
4.00
4.00
2.00
0.23
8.00
11.40
Note:Devices are packed in accor dance with EIA standar RS-481-A and specifications listed above.
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描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 30V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 30V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon,
厂商名称 FORMOSA FORMOSA FORMOSA FORMOSA FORMOSA FORMOSA FORMOSA FORMOSA FORMOSA FORMOSA
包装说明 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.85 V 0.55 V 0.55 V 0.55 V 0.55 V 0.55 V 0.55 V 0.7 V 0.7 V 0.85 V
JESD-30 代码 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压 100 V 20 V 20 V 30 V 30 V 40 V 40 V 60 V 60 V 100 V
最大反向电流 200 µA 200 µA 200 µA 200 µA 200 µA 200 µA 200 µA 200 µA 200 µA 200 µA
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL

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  5. VK08319000J0G
  6. 8LT7-21B39SB
  7. 1N3326B
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