5962D8956809VTC,5962D8956809VTC pdf中文资料,5962D8956809VTC引脚图,5962D8956809VTC电路-Datasheet-电子工程世界

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5962D8956809VTC: 产品描述Rad. Tolerant High Speed 4 Kb x 9 Parallel FIFO; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共20页; 制造商Atmel (Microchip)

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5962D8956809VTC概述

Rad. Tolerant High Speed 4 Kb x 9 Parallel FIFO

5962D8956809VTC规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Atmel (Microchip)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP28,.3
针数	28
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最长访问时间	30 ns
其他特性	RETRANSMIT
最大时钟频率 (fCLK)	25 MHz
周期时间	40 ns
JESD-30 代码	R-CDIP-T28
JESD-609代码	e4
长度	27.94 mm
内存密度	36864 bi
内存集成电路类型	OTHER FIFO
内存宽度	9
功能数量	1
端子数量	28
字数	4096 words
字数代码	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	4KX9
可输出	NO
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP28,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度	5.84 mm
最大待机电流	0.0004 A
最大压摆率	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Gold (Au)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
总剂量	10k Rad(Si) V
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

5962D8956809VTC相似产品对比

	5962D8956809VTC	5962-8956809QNC	5962-8956809VNC	5962-8956809VTC	5962-8956810QNC	5962-8956810VTC	5962D8956809VNC	MM0-67204HV-15-E	MM0-67204HV-15SV
描述	Rad. Tolerant High Speed 4 Kb x 9 Parallel FIFO	Rad. Tolerant High Speed 4 Kb x 9 Parallel FIFO	Rad. Tolerant High Speed 4 Kb x 9 Parallel FIFO	Rad. Tolerant High Speed 4 Kb x 9 Parallel FIFO	Rad. Tolerant High Speed 4 Kb x 9 Parallel FIFO	Rad. Tolerant High Speed 4 Kb x 9 Parallel FIFO	Rad. Tolerant High Speed 4 Kb x 9 Parallel FIFO	Rad. Tolerant High Speed 4 Kb x 9 Parallel FIFO	Rad. Tolerant High Speed 4 Kb x 9 Parallel FIFO
零件包装代码	DIP	DFP	DFP	DIP	DFP	DIP	DFP	DIE	DIE
包装说明	DIP, DIP28,.3	DFP, FL28,.4	DFP, FL28,.4	DIP, DIP28,.3	DFP, FL28,.4	DIP, DIP28,.3	DFP, FL28,.4	DIE,	DIE,
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compliant	compli	compliant	compli	compli	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	30 ns	30 ns	30 ns	30 ns	15 ns	15 ns	30 ns	15 ns	15 ns
其他特性	RETRANSMIT	RETRANSMIT	RETRANSMIT	RETRANSMIT	RETRANSMIT	RETRANSMIT	RETRANSMIT	RETRANSMIT	RETRANSMIT
周期时间	40 ns	40 ns	40 ns	40 ns	25 ns	25 ns	40 ns	25 ns	25 ns
JESD-30 代码	R-CDIP-T28	R-XDFP-F28	R-XDFP-F28	R-CDIP-T28	R-XDFP-F28	R-CDIP-T28	R-XDFP-F28	X-XUUC-N	X-XUUC-N
内存密度	36864 bi	36864 bi	36864 bi	36864 bit	36864 bi	36864 bit	36864 bi	36864 bi	36864 bit
内存宽度	9	9	9	9	9	9	9	9	9
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
字数	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words
字数代码	4000	4000	4000	4000	4000	4000	4000	4000	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
组织	4KX9	4KX9	4KX9	4KX9	4KX9	4KX9	4KX9	4KX9	4KX9
可输出	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	UNSPECIFIED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIP	DFP	DFP	DIP	DFP	DIP	DFP	DIE	DIE
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形式	IN-LINE	FLATPACK	FLATPACK	IN-LINE	FLATPACK	IN-LINE	FLATPACK	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES	NO	YES	NO	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	THROUGH-HOLE	FLAT	FLAT	THROUGH-HOLE	FLAT	THROUGH-HOLE	FLAT	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	UPPER	UPPER
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	-
厂商名称	Atmel (Microchip)	-	Atmel (Microchip)	Atmel (Microchip)	-	Atmel (Microchip)	Atmel (Microchip)	-	Atmel (Microchip)
针数	28	28	28	28	28	28	28	-	-
最大时钟频率 (fCLK)	25 MHz	25 MHz	25 MHz	25 MHz	40 MHz	40 MHz	25 MHz	-	-
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4	-	-
内存集成电路类型	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	-	-
端子数量	28	28	28	28	28	28	28	-	-
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	-	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-	-55 °C
封装等效代码	DIP28,.3	FL28,.4	FL28,.4	DIP28,.3	FL28,.4	DIP28,.3	FL28,.4	-	-
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	-	-
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class V	MIL-PRF-38535 Class Q	MIL-PRF-38535 Class V	MIL-PRF-38535 Class V	MIL-PRF-38535 Class Q	MIL-PRF-38535 Class V	MIL-PRF-38535 Class V	-	-
座面最大高度	5.84 mm	3.3 mm	3.3 mm	3.94 mm	3.3 mm	3.94 mm	3.3 mm	-	-
最大待机电流	0.0004 A	0.0004 A	0.0004 A	0.0004 A	0.0004 A	0.0004 A	0.0004 A	-	-
最大压摆率	0.11 mA	0.11 mA	0.11 mA	0.11 mA	0.12 mA	0.12 mA	0.11 mA	-	-
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	-	MILITARY
端子面层	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)	-	-
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	-	-
宽度	7.62 mm	10.16 mm	10.16 mm	7.62 mm	10.16 mm	7.62 mm	10.16 mm	-	-
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	-

5962D8956809VTC

5962D8956809VTC概述

5962D8956809VTC规格参数

5962D8956809VTC相似产品对比

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