EDS2516ADTA-6B-E,EDS2516ADTA-6B-E pdf中文资料,EDS2516ADTA-6B-E引脚图,EDS2516ADTA-6B-E电路-Datasheet-电子工程世界

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EDS2516ADTA-6B-E: 产品描述Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54; 产品类别存储存储; 文件大小572KB，共50页; 制造商ELPIDA; 官网地址http://www.elpida.com/en; 标准

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EDS2516ADTA-6B-E概述

Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54

EDS2516ADTA-6B-E规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ELPIDA
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数	54
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G54
JESD-609代码	e6
长度	22.22 mm
内存密度	268435456 bi
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	54
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP54,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A
最大压摆率	0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	50
宽度	10.16 mm

EDS2516ADTA-6B-E相似产品对比

	EDS2516ADTA-6B-E	EDS2516ADTA-75L-E	EDS2516ADTA-6BL-E
描述	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
厂商名称	ELPIDA	ELPIDA	ELPIDA
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数	54	54	54
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	133 MHz	166 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54
JESD-609代码	e6	e6	e6
长度	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm
内存密度	268435456 bi	268435456 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16	16	16
功能数量	1	1	1
端口数量	1	1	1
端子数量	54	54	54
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	16MX16	16MX16	16MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A	0.002 A	0.002 A
最大压摆率	0.22 mA	0.12 mA	0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	50	50	50
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm

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