Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, TO-46, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Swampscott Electronics Co Inc |
| 零件包装代码 | TO-46 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 20 V |
| 配置 | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 70 |
| JEDEC-95代码 | TO-46 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.4 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 10 MHz |
| 2N2945A | 2N2945 | 2N3677 | 2N998 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, TO-46, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, TO-46, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, TO-46, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PIN |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Swampscott Electronics Co Inc | Swampscott Electronics Co Inc | Swampscott Electronics Co Inc | Swampscott Electronics Co Inc |
| 零件包装代码 | TO-46 | TO-46 | TO-46 | BCY |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | unknow |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| 配置 | Single | Single | Single | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 70 | 100 | 4 | 2 |
| JEDEC-95代码 | TO-46 | TO-46 | TO-46 | TO-18 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C | 200 °C | 175 °C | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.4 W | 0.4 W | 0.4 W | 1.8 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | - |
| 标称过渡频率 (fT) | 10 MHz | 10 MHz | 5 MHz | - |
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