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2N4919

产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126VAR, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小138KB,共1页
制造商International Devices Inc
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2N4919概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126VAR, 3 PIN

2N4919规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Devices Inc
零件包装代码SIP
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)30 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)3 MHz

2N4919相似产品对比

2N4919 2N3740
描述 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126VAR, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, TO-66, 2 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 International Devices Inc International Devices Inc
零件包装代码 SIP TO-66
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数 3 2
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 30 30
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 2
最高工作温度 175 °C 200 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY METAL
封装形状 RECTANGULAR ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 30 W 25 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE PIN/PEG
端子位置 SINGLE BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 3 MHz 4 MHz
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