Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92VAR, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Space Power Electronics Inc |
零件包装代码 | TO-92 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.5 A |
集电极-发射极最大电压 | 20 V |
配置 | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 125 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.25 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
2N3794 | 2N2945 | 2N2945A | 2N3677 | |
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描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92VAR, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, TO-46, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, TO-46, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46, TO-46, 3 PIN |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Space Power Electronics Inc | Space Power Electronics Inc | Space Power Electronics Inc | Space Power Electronics Inc |
零件包装代码 | TO-92 | TO-46 | TO-46 | TO-46 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-XBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
针数 | 3 | 3 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.5 A | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
配置 | Single | Single | Single | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 | 100 | 70 | 4 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-W3 | O-XBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 125 °C | 200 °C | 200 °C | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | UNSPECIFIED | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.25 W | 0.4 W | 0.4 W | 0.4 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
JEDEC-95代码 | - | TO-46 | TO-46 | TO-46 |
标称过渡频率 (fT) | - | 10 MHz | 10 MHz | 5 MHz |
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