Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18, TO-18, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Space Power Electronics Inc |
| 零件包装代码 | BCY |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 配置 | SINGLE |
| FET 技术 | JUNCTION |
| JEDEC-95代码 | TO-18 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 2N2608 | 2N3382 | 2N3384 | 2N5019 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18, TO-18, 3 PIN | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-72, TO-72, 4 PIN | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-72, TO-72, 4 PIN | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18, TO-18, 3 PIN |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Space Power Electronics Inc | Space Power Electronics Inc | Space Power Electronics Inc | Space Power Electronics Inc |
| 零件包装代码 | BCY | TO-72 | TO-72 | BCY |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数 | 3 | 4 | 4 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | unknow |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| FET 技术 | JUNCTION | JUNCTION | JUNCTION | JUNCTION |
| JEDEC-95代码 | TO-18 | TO-72 | TO-72 | TO-18 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W4 | O-MBCY-W4 | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 4 | 4 | 3 |
| 工作模式 | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度 | 200 °C | 150 °C | 150 °C | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W | 0.3 W | 0.3 W | 1.8 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
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