Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Space Power Electronics Inc |
| 零件包装代码 | TO-5 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 60 V |
| 配置 | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 20 |
| JEDEC-95代码 | TO-5 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 5 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 1 MHz |
| 2N2033 | 2N2035 | |
|---|---|---|
| 描述 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, 3 PIN | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-8, Metal, 3 Pin, TO-8, 3 PIN |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Space Power Electronics Inc | Space Power Electronics Inc |
| 零件包装代码 | TO-5 | TO-8 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 3 A | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 60 V | 60 V |
| 配置 | Single | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 20 | 20 |
| JEDEC-95代码 | TO-5 | TO-8 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 5 W | 14 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 1 MHz | 1 MHz |
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