Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Germanium, STF-1/2
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Space Power Electronics Inc |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 3.5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 80 V |
| 配置 | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 20 |
| 最高工作温度 | 100 °C |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 20 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 晶体管元件材料 | GERMANIUM |
| 标称过渡频率 (fT) | 0.25 MHz |
| 2N1044 | 2N2567 | |
|---|---|---|
| 描述 | Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Germanium, STF-1/2 | Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Germanium, Metal, 2 Pin, CAN PACKAGE-2 |
| 厂商名称 | Space Power Electronics Inc | Space Power Electronics Inc |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 3.5 A | 3.5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 80 V | 60 V |
| 配置 | Single | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 20 | 20 |
| 最高工作温度 | 100 °C | 100 °C |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 20 W | 20 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 晶体管元件材料 | GERMANIUM | GERMANIUM |
| 标称过渡频率 (fT) | 0.25 MHz | 0.25 MHz |
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