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2N3546: 产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), Silicon, PNP, TO-18, TO-18, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小107KB，共1页; 制造商Hi-Tron Semiconductor Corp

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2N3546概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), Silicon, PNP, TO-18, TO-18, 3 PIN

	2N3546	2N3640
描述	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), Silicon, PNP, TO-18, TO-18, 3 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Silicon, PNP, TO-106, TO-106, 4 PIN
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Hi-Tron Semiconductor Corp	Hi-Tron Semiconductor Corp
零件包装代码	BCY	BCY
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
针数	3	3
Reach Compliance Code	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.2 A	0.08 A
基于收集器的最大容量	6 pF	3.5 pF
集电极-发射极最大电压	12 V	12 V
配置	Single	Single
最小直流电流增益 (hFE)	30	30
JEDEC-95代码	TO-18	TO-106
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W4
JESD-609代码	e0	e0
端子数量	3	4
最高工作温度	175 °C	125 °C
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	1.2 W	0.2 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	700 MHz	500 MHz

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