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2N3054: 产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, TO-66VAR, 2 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小99KB，共1页; 制造商Hi-Tron Semiconductor Corp

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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, TO-66VAR, 2 PIN

	2N3054	2N5294
描述	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, TO-66VAR, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 75V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220AB, 3 PIN
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Hi-Tron Semiconductor Corp	Hi-Tron Semiconductor Corp
零件包装代码	TO-66	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	2	3
Reach Compliance Code	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	4 A	4 A
集电极-发射极最大电压	60 V	75 V
配置	Single	Single
最小直流电流增益 (hFE)	25	30
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	2	3
最高工作温度	200 °C	140 °C
封装主体材料	METAL	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	25 W	36 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	0.03 MHz	0.8 MHz

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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