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SMLG33C

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小113KB,共2页
制造商International Semiconductor Inc
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SMLG33C概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon

SMLG33C规格参数

参数名称属性值
厂商名称International Semiconductor Inc
包装说明R-PDSO-G2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW INDUCTANCE
最大击穿电压44.9 V
最小击穿电压36.7 V
击穿电压标称值40.8 V
最大钳位电压59 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
最大非重复峰值反向功率耗散3000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性BIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压33 V
最大反向电流5 µA
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
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