Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 13V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | International Semiconductor Inc |
包装说明 | R-PDSO-G2 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | LOW INDUCTANCE |
最大击穿电压 | 17.6 V |
最小击穿电压 | 14.4 V |
击穿电压标称值 | 16 V |
最大钳位电压 | 23.8 V |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G2 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 3000 W |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 13 V |
最大反向电流 | 5 µA |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
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