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HM3E-65664A-9:D

产品描述Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PDIP28
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文件大小268KB,共10页
制造商Matra MHS
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HM3E-65664A-9:D概述

Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PDIP28

HM3E-65664A-9:D规格参数

参数名称属性值
厂商名称Matra MHS
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间55 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T28
内存密度65536 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最小待机电流2 V
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
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