CL3P-65664V-55SHXXX,CL3P-65664V-55SHXXX pdf中文资料,CL3P-65664V-55SHXXX引脚图,CL3P-65664V-55SHXXX电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CL3P-65664V-55SHXXX

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CL3P-65664V-55SHXXX: 产品描述Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PDIP28; 产品类别存储存储; 文件大小243KB，共10页; 制造商Matra MHS

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CL3P-65664V-55SHXXX概述

Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PDIP28

CL3P-65664V-55SHXXX规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Matra MHS
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	55 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T28
内存密度	65536 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
最小待机电流	2 V
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL

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