Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 1pF C(T), 30V, Silicon, Hyperabrupt
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Msi Electronics Inc |
包装说明 | X-CXMW-F3 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | LOW INDUCTANCE |
最小击穿电压 | 30 V |
配置 | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
最小二极管电容比 | 4.5 |
标称二极管电容 | 1 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY |
JESD-30 代码 | X-CXMW-F3 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | UNSPECIFIED |
封装形式 | MICROWAVE |
最大功率耗散 | 5 W |
认证状态 | Not Qualified |
最小质量因数 | 225 |
最大重复峰值反向电压 | 30 V |
最大反向电流 | 0.05 µA |
反向测试电压 | 28 V |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | UNSPECIFIED |
变容二极管分类 | HYPERABRUPT |
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