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MV205EE

产品描述Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 1pF C(T), 30V, Silicon, Hyperabrupt
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小236KB,共2页
制造商Msi Electronics Inc
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MV205EE概述

Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 1pF C(T), 30V, Silicon, Hyperabrupt

MV205EE规格参数

参数名称属性值
厂商名称Msi Electronics Inc
包装说明X-CXMW-F3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW INDUCTANCE
最小击穿电压30 V
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
最小二极管电容比4.5
标称二极管电容1 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码X-CXMW-F3
元件数量2
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式MICROWAVE
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数225
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流0.05 µA
反向测试电压28 V
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置UNSPECIFIED
变容二极管分类HYPERABRUPT

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