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GM72V28841ALT

产品描述Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, TSOP-54
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文件大小614KB,共21页
制造商LG Semicon Co Ltd
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GM72V28841ALT概述

Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, TSOP-54

GM72V28841ALT规格参数

参数名称属性值
厂商名称LG Semicon Co Ltd
包装说明0.400 INCH, TSOP-54
Reach Compliance Codeunknow
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G54
内存密度134217728 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

GM72V28841ALT相似产品对比

GM72V28841ALT GM72V28841AT
描述 Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, TSOP-54 Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, TSOP-54
厂商名称 LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd
包装说明 0.400 INCH, TSOP-54 0.400 INCH, TSOP-54
Reach Compliance Code unknow unknown
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 6 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54
内存密度 134217728 bi 134217728 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 54 54
字数 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 16MX8 16MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL

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