Fast Page DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | LG Semicon Co Ltd |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 最长访问时间 | 100 ns |
| I/O 类型 | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 4194304 bi |
| 内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度 | 1 |
| 端子数量 | 20 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 4MX1 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP20/26,.36 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 1024 |
| 自我刷新 | NO |
| 最大待机电流 | 0.0002 A |
| 最大压摆率 | 0.08 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.635 mm |
| 端子位置 | DUAL |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
