Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Crimson Semiconductor Inc |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 其他特性 | VERY LOW LEAKAGE |
| 最大集电极电流 (IC) | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 100 V |
| 配置 | SINGLE |
| JEDEC-95代码 | TO-3 |
| JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 60 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| VCEsat-Max | 1.5 V |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved