JTXV2N3507,JTXV2N3507 pdf中文资料,JTXV2N3507引脚图,JTXV2N3507电路-Datasheet-电子工程世界

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JTXV2N3507: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, CASE 79-04, TO-39, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小142KB，共2页; 制造商CRYSTALONICS Inc

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JTXV2N3507概述

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, CASE 79-04, TO-39, 3 PIN

JTXV2N3507规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	CRYSTALONICS Inc
零件包装代码	BCY
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数	4
制造商包装代码	CASE 79-04
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	3 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	20
JEDEC-95代码	TO-205AD
JESD-30 代码	O-MBCY-W3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
参考标准	MIL-19500/349
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	90 ns
最大开启时间（吨）	45 ns

JTXV2N3507相似产品对比

	JTXV2N3507	JAN2N3506	0760551225_17	JTX2N3507	JTX2N3506	JTXV2N3506
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, CASE 79-04, TO-39, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, CASE 79-04, TO-39, 3 PIN	Impact 100 Ohm 5 Pair Vertical Backplane Header, Unguided, Dual Endwall	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, CASE 79-04, TO-39, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, CASE 79-04, TO-39, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, CASE 79-04, TO-39, 3 PIN
厂商名称	CRYSTALONICS Inc	-	-	CRYSTALONICS Inc	CRYSTALONICS Inc	CRYSTALONICS Inc
零件包装代码	BCY	BCY	-	BCY	BCY	BCY
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	-	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数	4	4	-	4	4	4
制造商包装代码	CASE 79-04	CASE 79-04	-	CASE 79-04	CASE 79-04	CASE 79-04
Reach Compliance Code	unknow	unknown	-	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	3 A	3 A	-	3 A	3 A	3 A
集电极-发射极最大电压	50 V	40 V	-	50 V	40 V	40 V
配置	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	20	25	-	20	25	25
JEDEC-95代码	TO-205AD	TO-205AD	-	TO-205AD	TO-205AD	TO-205AD
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	-	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
元件数量	1	1	-	1	1	1
端子数量	3	3	-	3	3	3
最高工作温度	200 °C	200 °C	-	200 °C	200 °C	200 °C
封装主体材料	METAL	METAL	-	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	-	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	-	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	NPN	NPN	-	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
参考标准	MIL-19500/349	MIL-19500/349	-	MIL-19500/349	MIL-19500/349	MIL-19500/349
表面贴装	NO	NO	-	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	-	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	90 ns	90 ns	-	90 ns	90 ns	90 ns
最大开启时间（吨）	45 ns	45 ns	-	45 ns	45 ns	45 ns

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