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BS108: 产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小133KB，共2页; 制造商ITT Corporation

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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

	BS108	BS208	BS112	BS212	BS250
描述	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	Transistor	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	Transistor	Transistor
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown
配置	Single	Single	Single	Single	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.25 A	0.2 A	0.2 A	0.2 A	0.25 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL	P-CHANNEL	N-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W	0.83 W	0.83 W	0.83 W	0.83 W
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
厂商名称	ITT Corporation	ITT Corporation	-	ITT Corporation	ITT Corporation

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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