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DS2257

产品描述Standard SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP28,
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文件大小469KB,共9页
制造商DALLAS
官网地址http://www.dalsemi.com
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DS2257概述

Standard SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP28,

DS2257规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称DALLAS
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间150 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度262144 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.000001 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.04 mA
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

DS2257相似产品对比

DS2257 DS2257S DS2257S-70 DS2257-70
描述 Standard SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, Standard SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDSO28, Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, SOIC-28 Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, DIP-28
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknown
最长访问时间 150 ns 150 ns 70 ns 70 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDIP-T28
内存密度 262144 bi 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8
端子数量 28 28 28 28
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP SOP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最小待机电流 2 V 2 V 2 V 2 V
表面贴装 NO YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
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