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2N2832

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小285KB,共4页
制造商GPD Optoelectronics Corp
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2N2832概述

Transistor

2N2832规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称GPD Optoelectronics Corp
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)20 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)25
JESD-609代码e0
最高工作温度110 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)85 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)10 MHz
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