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2N268

产品描述Power Bipolar Transistor, 3A I(C), PNP
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小371KB,共4页
制造商GPD Optoelectronics Corp
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2N268概述

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), PNP

2N268规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称GPD Optoelectronics Corp
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)3 A
配置Single
JESD-609代码e0
最高工作温度85 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)2 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)0.006 MHz

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