Memory Circuit, EPROM+SRAM, CMOS, CPGA66
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | APTA Group Inc |
| 包装说明 | PGA, PGA66,11X11 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 其他特性 | SRAM IS ORGANISED AS 32K X 16 |
| JESD-30 代码 | S-CPGA-P66 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 27.33 mm |
| 内存密度 | 2097152 bi |
| 内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度 | 16 |
| 混合内存类型 | EPROM+SRAM |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 66 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 128KX16 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | PGA |
| 封装等效代码 | PGA66,11X11 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 8.13 mm |
| 最大待机电流 | 0.004 A |
| 最大压摆率 | 0.146 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | PERPENDICULAR |
| 宽度 | 27.33 mm |
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