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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> UF806
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UF806

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 600V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小120KB，共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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UF806概述

Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 600V V(RRM),

UF806规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Codeunknow
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流8 A
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
UF800
---
UF808
VOLTAGE RANGE:
50
---
800
V
CURRENT: 8.0A
ULTRA FAST RECTIFIER
Metal-Semiconductor junction with guard ring
Epitaxial construction
Low forward voltage drop,low switching losses
High surge capability
For use in low voltage,high frequency inverters free
xxxx
wheeling,and polarity protection applications
The plastic material carries U/L recognition 94V-O
TO - 220AC
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC TO--220AC,molded plastic
Terminals: Leads solderable per
MIL- STD-750,Method 2026
Polarity: As marked
Weight: 0.078ounces,2.24 grams
Mounting position: Any
½½
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
UF800 UF801 UF802 UF803
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
(see fig.1)
Peak forw ard surge current
8.3ms single half -sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
UF804 UF806
400
280
400
600
420
600
UF808
UNITS
800
560
800
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
100
70
1
00
200
140
200
300
210
300
8.0
I
FSM
125.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 8.0A (Note 1)
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
Typical thermal resistance
Maximum reverse recovery time
@T
A
=25
@T
A
=100
(Note 2)
(Note 3)
V
F
I
R
R
θ
JA
1.0
10
1.30
1.70
V
µ
A
/W
500
60
t
rr
T
J
T
STG
50
-55
---- + 150
-
55
---- +150
100
ns
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Pulse test:300us pulse width,1% duty cycle.
2.Thermal resistance junction to ambient
3.Reverse recovery test conditions:I
F
=0.5A,I
R
=1A,I
rr
=0.25A
www.galaxycn.com
Document Number 0264041
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

UF806相似产品对比

UF806 UF800 UF801 UF803 UF804 UF802
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 50V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 300V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 400V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 200V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknown unknown unknow
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.7 V 1 V 1 V 1.3 V 1.3 V 1 V
最大非重复峰值正向电流 125 A 125 A 125 A 125 A 125 A 125 A
元件数量 1 1 1 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A
最大重复峰值反向电压 600 V 50 V 100 V 300 V 400 V 200 V
最大反向恢复时间 0.1 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO NO

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