Zener Diode, 36V V(Z), 10%, 1W,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Galaxy Semi-Conductor Co Ltd |
| 包装说明 | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗 | 50 Ω |
| 最大正向电压 (VF) | 1.2 V |
| JEDEC-95代码 | DO-41 |
| JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
| 膝阻抗最大值 | 1000 Ω |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | GLASS |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 极性 | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 标称参考电压 | 36 V |
| 最大反向电流 | 5 µA |
| 反向测试电压 | 27.4 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | ZENER |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| 最大电压容差 | 10% |
| 工作测试电流 | 7 mA |
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