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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N5806
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1N5806

产品描述Rectifier Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小44KB，共1页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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1N5806概述

Rectifier Diode,

1N5806规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompli
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向恢复时间0.025 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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Certificate TH97/10561QM
Certificate TW00/17276EM
1N5802 - 1N5806
PRV : 50 - 150 Volts
Io : 2.5 Amperes
FEATURES :
*
*
*
*
*
*
*
*
Glass passivated chip
High current capability
High surge current capability
High reliability
Low reverse current
Low forward voltage drop
Ultrafast recovery time
Pb / RoHS Free
GLASS PASSIVATED JUNCTION
ULTRA FAST RECTIFIERS
DO - 41
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
1.00 (25.4)
MIN.
0.205 (5.2)
0.161 (4.1)
MECHANICAL DATA :
* Case : DO-41 Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified
.
Single phase, half wave,60 Hz, resistive or inductive load
.
For capacitive load, derate current by
20%.
RATING
Maximum Working Peak Reverse Voltage
Minimum Breakdown Voltage @ 100µA
Maximum Average Forward Current
Maximum Peak Forward Surge Current,
8.3ms Single half sine wave superimposed
on rated load (JEDEC Method)
Maximum Peak Forward Voltage at I
F
= 1.0 A.
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Maximum Reverse Recovery Time (Note 3)
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
SYMBOL 1N5802
V
RWM
V
BR(Min)
I
F(AV)
50
55
1N5803
75
80
1N5804
100
110
1N5805
125
135
1N5806
150
160
UNIT
V
V
A
2.5 (T
L
= 75°C, Note 1)
1.0 (Ta = 55°C)
35
0.875
1.0
50 (Ta = 100°C)
25
- 65 to + 175
- 65 to + 175
I
FSM
V
F
I
R
I
R(H)
Trr
A
V
μA
ns
°C
°C
T
J
T
STG
Notes :
(1) I
F(AV)
= 2.5A @ T
L
=75°C at 3/8 inc lead length Derate at 25mA/°C for T
L
above 75°C.
.
(2) Reverse Recovery Test Conditions I
F
= 0.5 A, I
R
= 1.0 A, Irr = 0.25 A.
:
Page 1 of 1
Rev. 0 : January 16, 2007

1N5806相似产品对比

1N5806 1N5805 1N5803 1808N222F201VX080M 1812H0250683KFR
描述 Rectifier Diode, Rectifier Diode, Rectifier Diode, Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 200V, 1% +Tol, 1% -Tol, C0G, -/+30ppm/Cel TC, 0.0022uF, 1808, Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 25V, 10% +Tol, 10% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.068uF, Surface Mount, 1812, CHIP
是否Rohs认证 符合 符合 符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code compli compliant compliant compliant compliant
端子数量 2 2 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -55 °C -55 °C
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM SMT SMT
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 - -
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY - -
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED - -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE - -
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON - -
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - -
JEDEC-95代码 DO-41 DO-41 DO-41 - -
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 - -
元件数量 1 1 1 - -
最大输出电流 1 A 1 A 1 A - -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - -
封装形状 ROUND ROUND ROUND - RECTANGULAR PACKAGE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
最大重复峰值反向电压 150 V 125 V 75 V - -
最大反向恢复时间 0.025 µs 0.025 µs 0.025 µs - -
表面贴装 NO NO NO - YES
端子形式 WIRE WIRE WIRE - -
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
Base Number Matches 1 1 1 - -
包装说明 - O-PALF-W2 O-PALF-W2 , 1808 , 1812

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