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2N828

产品描述Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小242KB,共3页
制造商Semitronics Corp
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2N828概述

Transistor,

2N828规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Semitronics Corp
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.2 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)25
JESD-609代码e0
最高工作温度100 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)300 MHz
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