电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

43CTQ080G-1

产品描述20 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小130KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

43CTQ080G-1概述

20 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA

43CTQ080G-1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-262AA
包装说明R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.67 V
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
最大非重复峰值正向电流275 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最大输出电流20 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压80 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
43CTQ...GS/43CTQ...G-1
Vishay High Power Products
Schottky Rectifier, 2 x 20 A
43CTQ...GS
43CTQ...G-1
FEATURES
• 175 °C T
J
operation
• Center tap configuration
• Low forward voltage drop
• High purity, high temperature epoxy encapsulation for
enhanced mechanical strength and moisture resistance
• High frequency operation
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term
reliability
• Designed and qualified for industrial level
Base
common
cathode
2
Common
cathode
2
2
1 Common
3
Anode cathode Anode
2
1 Common
3
Anode cathode Anode
DESCRIPTION
This center tap Schottky rectifier series has been optimized
for very low reverse leakage at high temperature. The
proprietary barrier technology allows for reliable operation up
to 175 °C junction temperature. Typical applications are in
switching power supplies, converters, freewheeling diodes,
and reverse battery protection.
D
2
PAK
TO-262
PRODUCT SUMMARY
I
F(AV)
V
R
2 x 20 A
80/100 V
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
SYMBOL
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 µs sine
20 Apk, T
J
= 125 °C (per leg)
Range
CHARACTERISTICS
Rectangular waveform
VALUES
40
80/100
850
0.67
- 55 to 175
UNITS
A
V
A
V
°C
VOLTAGE RATINGS
PARAMETER
Maximum DC reverse voltage
Maximum working peak reverse voltage
SYMBOL
V
R
V
RWM
43CTQ080GS
43CTQ080G-1
80
43CTQ100GS
43CTQ100G-1
100
UNITS
V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Maximum average
forward current
See fig. 5
per leg
I
F(AV)
per device
5 µs sine or 3 µs rect. pulse
I
FSM
10 ms sine or 6 ms rect. pulse
E
AS
I
AR
Following any rated load
condition and with rated
V
RRM
applied
50 % duty cycle at T
C
= 135 °C, rectangular waveform
40
A
850
275
7.5
0.5
mJ
A
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
20
UNITS
Maximum peak one cycle non-repetitive
surge current per leg
See fig. 7
Non-repetitive avalanche energy per leg
Repetitive avalanche current per leg
T
J
= 25 °C, I
AS
= 0.5 A, L = 60 mH
Current decaying linearly to zero in 1 µs
Frequency limited by T
J
maximum V
A
= 1.5 x V
R
typical
Document Number: 93348
Revision: 21-Aug-08
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1

43CTQ080G-1相似产品对比

43CTQ080G-1 43CTQ080GS 43CTQ100GS
描述 20 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA 20 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TO-262AA TO-263 TO-263
包装说明 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 PLASTIC, D2PAK-3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 CATHODE CATHODE CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.67 V 0.67 V 0.67 V
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流 275 A 850 A 850 A
元件数量 2 2 2
相数 1 1 1
端子数量 3 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
最大输出电流 20 A 20 A 20 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 80 V 80 V 100 V
表面贴装 NO YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) -
电池充电器的设计
Notebook computers increasingly require complex battery charging algorithms and systems. This article provides information and background on lithium-ion (Li+), nickel-cadmium (NiCd ......
frozenviolet 模拟电子
ARM开发工程师入门宝典
无私共享。。。...
caoshangfei 单片机
[急问]关于RS编解码在单片机上实现
我想在25M的单片机上进行RS编解码(31, 15) 手上有份PC上的程序 估计运行到单片机上性能肯定得不到保证…… 请问能从哪几个方面优化?貌似不能使用大规模的查表 请大家指点指点!谢谢...
hefang05119 嵌入式系统
英飞凌对汽车TPMS应用推出新传感器
英飞凌(InfineonTechnologiesAG)面向汽车轮胎压力监视系统(TirePressureMonitoringSystem,TPMS)应用推出SP12传感器,该器件整合了硅显微机械加工的压力与加速度传感器、温度传感器和一个电池电 ......
frozenviolet 汽车电子
[hanker M4开发板试用]多彩世界,我的调色板——stellaris图形库及touch应用
摘要 本文首先简要介绍了Stellaris图形库的基本使用,在touch库函数下编写了调色板程序。调色板主要使用了三个滑动条,分别代表红、绿、蓝三色。通过移动滑动条改变三元色的数值,从而改 ......
jobszheng5 微控制器 MCU
玩430FRAM看到例程中一句话,没用过,求教是什么意思
__persistent unsigned long FRAM_write = {0}; 这句话是什么意思?__persistent是什么用法?求教大神解释 顺便附上整体程序: #include "msp430.h" void FRAMWrite(void); unsigned ......
今夜雨夹雪 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1205  2746  52  2096  2060  43  50  16  22  59 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved