MJE251,MJE251 pdf中文资料,MJE251引脚图,MJE251电路-Datasheet-电子工程世界

MJE251: 产品描述4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小60KB，共1页; 制造商Central Semiconductor

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MJE251概述

4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

MJE251规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	4 A
基于收集器的最大容量	70 pF
集电极-发射极最大电压	80 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	20
JEDEC-95代码	TO-126
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
功耗环境最大值	1.5 W
最大功率耗散 (Abs)	15 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	2 MHz
VCEsat-Max	0.6 V

MJE251相似产品对比

	MJE251	MJE240	MJE244	MJE250	MJE254	MJE242	MJE241	MJE252	MJE243	MJE253
描述	4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR	4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR	4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR	4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR	4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR	4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR	4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR	4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR	4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR	4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	3	3	3
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
是否无铅	含铅	含铅	含铅	-	-	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	-	-	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Central Semiconductor	-	Central Semiconductor	-	-	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor
Reach Compliance Code	_compli	_compli	not_compliant	-	-	not_compliant	_compli	not_compliant	_compli	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	4 A	4 A	4 A	-	-	4 A	4 A	4 A	4 A	4 A
基于收集器的最大容量	70 pF	-	50 pF	-	-	50 pF	50 pF	70 pF	-	70 pF
集电极-发射极最大电压	80 V	80 V	100 V	-	-	80 V	80 V	80 V	100 V	100 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	20	15	10	-	-	10	20	10	15	15
JEDEC-95代码	TO-126	TO-126	TO-126	-	-	TO-126	TO-126	TO-126	TO-126	TO-126
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	-	-	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0	e0	e0	-	-	e0	e0	e0	e0	e0
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	-	-	150 °C	150 °C	150 °C	140 °C	150 °C
最低工作温度	-65 °C	-	-65 °C	-	-	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-	-	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	NPN	NPN	-	-	NPN	NPN	PNP	NPN	PNP
功耗环境最大值	1.5 W	-	1.5 W	-	-	1.5 W	1.5 W	1.5 W	-	1.5 W
最大功率耗散 (Abs)	15 W	1.5 W	15 W	-	-	15 W	15 W	15 W	1.5 W	15 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	-	-	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
标称过渡频率 (fT)	2 MHz	2 MHz	2 MHz	-	-	2 MHz	2 MHz	2 MHz	2 MHz	2 MHz
VCEsat-Max	0.6 V	-	0.6 V	-	-	0.3 V	0.6 V	0.3 V	-	0.6 V

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