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AT28C010-25DM/883

产品描述128K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, CQCC32
产品类别存储    存储   
文件大小194KB,共11页
制造商Atmel (Microchip)
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AT28C010-25DM/883概述

128K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, CQCC32

AT28C010-25DM/883规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Atmel (Microchip)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP32,.6
针数32
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间250 ns
其他特性AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION: 10 YEARS
命令用户界面NO
数据轮询YES
数据保留时间-最小值10
耐久性10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-GDIP-T32
JESD-609代码e0
长度42.2 mm
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
页面大小128 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B
座面最大高度5.72 mm
最大待机电流0.0003 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
宽度15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
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