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2SK3456

产品描述Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小73KB,共8页
制造商NEC(日电)
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2SK3456概述

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN

2SK3456规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NEC(日电)
零件包装代码TO-220AB
包装说明MP-25, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompli
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)103 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)36 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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