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2SB1261-Z-E2

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MP-3, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小143KB,共4页
制造商NEC(日电)
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2SB1261-Z-E2概述

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MP-3, 3 PIN

2SB1261-Z-E2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NEC(日电)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
最大关闭时间(toff)2500 ns
最大开启时间(吨)500 ns

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