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P0327WC12C

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 525000mA I(T), 1200V V(DRM),
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小1MB,共12页
制造商IXYS
标准
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P0327WC12C概述

Silicon Controlled Rectifier, 525000mA I(T), 1200V V(DRM),

P0327WC12C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
标称电路换相断开时间15 µs
关态电压最小值的临界上升速率200 V/us
最大直流栅极触发电流200 mA
最大直流栅极触发电压3 V
最大维持电流600 mA
最大漏电流30 mA
通态非重复峰值电流3575 A
最大通态电流525000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
断态重复峰值电压1200 V
触发设备类型SCR

P0327WC12C相似产品对比

P0327WC12C P0327WC12D P0327WC12E
描述 Silicon Controlled Rectifier, 525000mA I(T), 1200V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 525000mA I(T), 1200V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 525000mA I(T), 1200V V(DRM),
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 IXYS IXYS IXYS
Reach Compliance Code compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
标称电路换相断开时间 15 µs 20 µs 25 µs
关态电压最小值的临界上升速率 200 V/us 200 V/us 200 V/us
最大直流栅极触发电流 200 mA 200 mA 200 mA
最大直流栅极触发电压 3 V 3 V 3 V
最大维持电流 600 mA 600 mA 600 mA
最大漏电流 30 mA 30 mA 30 mA
通态非重复峰值电流 3575 A 3575 A 3575 A
最大通态电流 525000 A 525000 A 525000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
断态重复峰值电压 1200 V 1200 V 1200 V
触发设备类型 SCR SCR SCR
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