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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IXGH25N100U1

IXGH25N100U1: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小322KB，共6页; 制造商IXYS; 标准

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IXGH25N100U1概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

IXGH25N100U1规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IXYS
零件包装代码	TO-247AD
包装说明	TO-247AD, 3 PIN
针数	3
Reach Compliance Code	_compli
其他特性	HIGH SPEED
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	50 A
集电极-发射极最大电压	1000 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）	3000 ns
门极发射器阈值电压最大值	5.5 V
门极-发射极最大电压	20 V
JEDEC-95代码	TO-247AD
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e1
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	200 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	720 ns
标称接通时间 (ton)	100 ns

IXGH25N100U1相似产品对比

	IXGH25N100U1	IXGH25N100AU1
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	IXYS	IXYS
零件包装代码	TO-247AD	TO-247AD
包装说明	TO-247AD, 3 PIN	TO-247AD, 3 PIN
针数	3	3
Reach Compliance Code	_compli	not_compliant
其他特性	HIGH SPEED	HIGH SPEED
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	50 A	50 A
集电极-发射极最大电压	1000 V	1000 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）	3000 ns	800 ns
门极发射器阈值电压最大值	5.5 V	5.5 V
门极-发射极最大电压	20 V	20 V
JEDEC-95代码	TO-247AD	TO-247AD
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e1	e1
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	200 W	200 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称断开时间 (toff)	720 ns	720 ns
标称接通时间 (ton)	100 ns	100 ns

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