SRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
| 包装说明 | SIMM, SSIM72 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 15 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XZMA-N72 |
| 内存密度 | 16777216 bi |
| 内存集成电路类型 | SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 32 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 72 |
| 字数 | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 512KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | SIMM |
| 封装等效代码 | SSIM72 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.12 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.78 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | ZIG-ZAG |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| IDT7MP4135S15M | IDT7MP4135S25M | IDT7MP4135S20M | |
|---|---|---|---|
| 描述 | SRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS | SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS | SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) |
| Reach Compliance Code | _compli | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| 包装说明 | SIMM, SSIM72 | SIMM, SSIM72 | - |
| 最长访问时间 | 15 ns | - | 20 ns |
| I/O 类型 | COMMON | - | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XZMA-N72 | - | R-XZMA-N72 |
| 内存密度 | 16777216 bi | - | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | SRAM MODULE | - | SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 32 | - | 32 |
| 湿度敏感等级 | 1 | - | 1 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 |
| 端口数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 72 | - | 72 |
| 字数 | 524288 words | - | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 | - | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | - | 70 °C |
| 组织 | 512KX32 | - | 512KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE |
| 可输出 | YES | - | YES |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | SIMM | - | SIMM |
| 封装等效代码 | SSIM72 | - | SSIM72 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | - | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | - | 225 |
| 电源 | 5 V | - | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.12 A | - | 0.06 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V | - | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.78 mA | - | 0.72 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | - | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | - | 5 V |
| 表面贴装 | NO | - | NO |
| 技术 | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD | - | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | - | 1.27 mm |
| 端子位置 | ZIG-ZAG | - | ZIG-ZAG |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
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