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IDT71V3576YS133BQI

产品描述Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
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文件大小282KB,共22页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71V3576YS133BQI概述

Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165

IDT71V3576YS133BQI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明FBGA-165
针数165
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间4.2 ns
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e0
长度15 mm
内存密度4718592 bi
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量165
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.035 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.26 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度13 mm
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