Dual-Port SRAM, 8KX16, 15ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, PGA-84
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
零件包装代码 | PGA |
包装说明 | PGA, PGA84M,11X11 |
针数 | 84 |
Reach Compliance Code | _compli |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 15 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | S-CPGA-P84 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 27.94 mm |
内存密度 | 131072 bi |
内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 2 |
端子数量 | 84 |
字数 | 8192 words |
字数代码 | 8000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 8KX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | PGA |
封装等效代码 | PGA84M,11X11 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.207 mm |
最大待机电流 | 0.0025 A |
最小待机电流 | 3 V |
最大压摆率 | 0.185 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | PIN/PEG |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 27.94 mm |
IDT70V25L15G | IDT70V25S55PFI | IDT70V25S55JI | |
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描述 | Dual-Port SRAM, 8KX16, 15ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, PGA-84 | Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) |
零件包装代码 | PGA | QFP | LCC |
包装说明 | PGA, PGA84M,11X11 | LFQFP, QFP100,.63SQ,20 | QCCJ, LDCC84,1.2SQ |
针数 | 84 | 100 | 84 |
Reach Compliance Code | _compli | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 15 ns | 55 ns | 55 ns |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | S-CPGA-P84 | S-PQFP-G100 | S-PQCC-J84 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 27.94 mm | 14 mm | 29.3116 mm |
内存密度 | 131072 bi | 131072 bit | 131072 bit |
内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM | DUAL-PORT SRAM | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度 | 16 | 16 | 16 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 2 | 2 | 2 |
端子数量 | 84 | 100 | 84 |
字数 | 8192 words | 8192 words | 8192 words |
字数代码 | 8000 | 8000 | 8000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | - | -40 °C | -40 °C |
组织 | 8KX16 | 8KX16 | 8KX16 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | PGA | LFQFP | QCCJ |
封装等效代码 | PGA84M,11X11 | QFP100,.63SQ,20 | LDCC84,1.2SQ |
封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 | 240 | 225 |
电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.207 mm | 1.6 mm | 4.57 mm |
最大待机电流 | 0.0025 A | 0.015 A | 0.015 A |
最小待机电流 | 3 V | 3 V | 3 V |
最大压摆率 | 0.185 mA | 0.2 mA | 0.2 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | NO | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式 | PIN/PEG | GULL WING | J BEND |
端子节距 | 2.54 mm | 0.5 mm | 1.27 mm |
端子位置 | PERPENDICULAR | QUAD | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 20 | 30 |
宽度 | 27.94 mm | 14 mm | 29.3116 mm |
湿度敏感等级 | - | 3 | 1 |
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