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IDT70V25L15G

产品描述Dual-Port SRAM, 8KX16, 15ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, PGA-84
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文件大小175KB,共22页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V25L15G概述

Dual-Port SRAM, 8KX16, 15ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, PGA-84

IDT70V25L15G规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码PGA
包装说明PGA, PGA84M,11X11
针数84
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最长访问时间15 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-CPGA-P84
JESD-609代码e0
长度27.94 mm
内存密度131072 bi
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量2
端子数量84
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码PGA
封装等效代码PGA84M,11X11
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.207 mm
最大待机电流0.0025 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.185 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度27.94 mm

IDT70V25L15G相似产品对比

IDT70V25L15G IDT70V25S55PFI IDT70V25S55JI
描述 Dual-Port SRAM, 8KX16, 15ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, PGA-84 Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 PGA QFP LCC
包装说明 PGA, PGA84M,11X11 LFQFP, QFP100,.63SQ,20 QCCJ, LDCC84,1.2SQ
针数 84 100 84
Reach Compliance Code _compli not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 15 ns 55 ns 55 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-CPGA-P84 S-PQFP-G100 S-PQCC-J84
JESD-609代码 e0 e0 e0
长度 27.94 mm 14 mm 29.3116 mm
内存密度 131072 bi 131072 bit 131072 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 16 16 16
功能数量 1 1 1
端口数量 2 2 2
端子数量 84 100 84
字数 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 - -40 °C -40 °C
组织 8KX16 8KX16 8KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 PGA LFQFP QCCJ
封装等效代码 PGA84M,11X11 QFP100,.63SQ,20 LDCC84,1.2SQ
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 240 225
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.207 mm 1.6 mm 4.57 mm
最大待机电流 0.0025 A 0.015 A 0.015 A
最小待机电流 3 V 3 V 3 V
最大压摆率 0.185 mA 0.2 mA 0.2 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 PIN/PEG GULL WING J BEND
端子节距 2.54 mm 0.5 mm 1.27 mm
端子位置 PERPENDICULAR QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 20 30
宽度 27.94 mm 14 mm 29.3116 mm
湿度敏感等级 - 3 1
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