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SMBJ13A-13

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 13V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小126KB,共5页
制造商Diodes Incorporated
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SMBJ13A-13概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 13V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC PACKAGE-2

SMBJ13A-13规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Diodes Incorporated
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大击穿电压16.5 V
最小击穿电压14.4 V
击穿电压标称值15.45 V
最大钳位电压21.5 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)235
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压13 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10

SMBJ13A-13相似产品对比

SMBJ13A-13 SMBJ43A-13
描述 Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 13V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC PACKAGE-2 Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 43V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC PACKAGE-2
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
包装说明 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
针数 2 2
Reach Compliance Code _compli not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大击穿电压 16.5 V 54.9 V
最小击穿电压 14.4 V 47.8 V
击穿电压标称值 15.45 V 51.35 V
最大钳位电压 21.5 V 69.4 V
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
JESD-609代码 e0 e0
湿度敏感等级 1 1
最大非重复峰值反向功率耗散 600 W 600 W
元件数量 1 1
端子数量 2 2
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 235 235
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 5 W 5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 13 V 43 V
表面贴装 YES YES
技术 AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10
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