电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

S26KL512SDABHM030

产品描述Flash, 64MX8, 96ns, PBGA24, FBGA-24
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共96页
制造商Cypress(赛普拉斯)
标准  
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

S26KL512SDABHM030在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
S26KL512SDABHM030 - - 点击查看 点击购买

S26KL512SDABHM030概述

Flash, 64MX8, 96ns, PBGA24, FBGA-24

S26KL512SDABHM030规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
包装说明FBGA-24
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间96 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B24
长度8 mm
内存密度536870912 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量24
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织64MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
编程电压3 V
筛选级别AEC-Q100; TS 16949
座面最大高度1 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度6 mm

S26KL512SDABHM030相似产品对比

S26KL512SDABHM030 S26KL512SDABHI020 S26KS512SDPBHI020 S26KS512SDPBHV020
描述 Flash, 64MX8, 96ns, PBGA24, FBGA-24 Flash, 64MX8, 96ns, PBGA24, FBGA-24 Flash, 64MX8, 96ns, PBGA24, FBGA-24 Flash, 64MX8, 96ns, PBGA24, FBGA-24
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯)
包装说明 FBGA-24 FBGA-24 FBGA-24 FBGA-24
Reach Compliance Code compli compli compli compli
ECCN代码 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A
最长访问时间 96 ns 96 ns 96 ns 96 ns
JESD-30 代码 R-PBGA-B24 R-PBGA-B24 R-PBGA-B24 R-PBGA-B24
内存密度 536870912 bi 536870912 bi 536870912 bi 536870912 bi
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH FLASH
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端子数量 24 24 24 24
字数 67108864 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words
字数代码 64000000 64000000 64000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 85 °C 85 °C 105 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 64MX8 64MX8 64MX8 64MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VBGA BGA BGA BGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
编程电压 3 V 3 V 1.8 V 1.8 V
筛选级别 AEC-Q100; TS 16949 AEC-Q100 AEC-Q100 AEC-Q100
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 1.95 V 1.95 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Factory Lead Time - 1 week 1 week 1 week

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 47  238  267  854  1333 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved