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U630H04BD1K25

产品描述Non-Volatile SRAM, 512X8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
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文件大小212KB,共14页
制造商Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)
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U630H04BD1K25概述

Non-Volatile SRAM, 512X8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

U630H04BD1K25规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP28,.6
针数28
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最长访问时间25 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
长度37.1 mm
内存密度4096 bi
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量28
字数512 words
字数代码512
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512X8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.1 mm
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.095 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
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