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30CTQ050S

产品描述15 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小131KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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30CTQ050S概述

15 A, SILICON, RECTIFIER DIODE

30CTQ050S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SFM
包装说明R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用HIGH POWER
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.71 V
JESD-30 代码R-PSSO-G2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流1000 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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30CTQ...S/30CTQ...-1
Vishay High Power Products
Schottky Rectifier, 2 x 15 A
30CTQ...S
30CTQ...-1
FEATURES
• 150 °C T
J
operation
• Center tap configuration
• Very low forward voltage drop
• High frequency operation
Base
common
cathode
2
Base
common
cathode
2
• High purity, high temperature epoxy encapsulation for
enhanced mechanical strength and moisture resistance
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term
reliability
• Designed and qualified for Q101 level
2
1 Common
3
Anode cathode Anode
2
1 Common
3
Anode cathode Anode
DESCRIPTION
This center tap Schottky rectifier has been optimized for very
low forward voltage drop, with moderate leakage. The
proprietary barrier technology allows for reliable operation up
to 150 °C junction temperature. Typical applications are in
switching power supplies, converters, freewheeling diodes,
and reverse battery protection.
D PAK
2
TO-262
PRODUCT SUMMARY
I
F(AV)
V
R
2 x 15 A
50/60 V
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
SYMBOL
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 µs sine
15 Apk, T
J
= 125 °C (per leg)
Range
CHARACTERISTICS
Rectangular waveform
VALUES
30
50/60
1000
0.56
- 55 to 150
UNITS
A
V
A
V
°C
VOLTAGE RATINGS
PARAMETER
Maximum DC reverse voltage
Maximum working peak reverse voltage
SYMBOL
V
R
V
RWM
30CTQ050S
30CTQ050-1
50
30CTQ060S
30CTQ060-1
60
UNITS
V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Maximum average
forward current
See fig. 5
per device
I
F(AV)
per leg
5 µs sine or 3 µs rect. pulse
I
FSM
10 ms sine or 6 ms rect. pulse
E
AS
I
AR
Following any rated load
condition and with rated
V
RRM
applied
50 % duty cycle at T
C
= 105 °C, rectangular waveform
15
A
Maximum peak one cycle non-repetitive
surge current per leg
See fig. 7
Non-repetitive avalanche energy per leg
Repetitive avalanche current per leg
1000
260
13
1.50
mJ
A
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
30
UNITS
T
J
= 25 °C, I
AS
= 1.50 A, L = 11.5 mH
Current decaying linearly to zero in 1 µs
Frequency limited by T
J
maximum V
A
= 1.5 x V
R
typical
Document Number: 93958
Revision: 22-Aug-08
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
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