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1N1190

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 600V V(RRM), Silicon, DO-5,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小383KB,共4页
制造商Semitronics Corp
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1N1190概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 600V V(RRM), Silicon, DO-5,

1N1190规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknow
应用POWER
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JEDEC-95代码DO-5
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流500 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度190 °C
最大输出电流35 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
Base Number Matches1
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