电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

TE28F160B3BA110

产品描述3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
产品类别存储    存储   
文件大小122KB,共18页
制造商Intel(英特尔)
官网地址http://www.intel.com/
下载文档 详细参数 全文预览

TE28F160B3BA110概述

3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory

TE28F160B3BA110规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Intel(英特尔)
零件包装代码TSOP
包装说明12 X 20 MM, TSOP-48
针数48
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间110 ns
其他特性BOTTOM BOOT BLOCK
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度16777216 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模8,31
端子数量48
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
电源1.8/3.3,3/3.3 V
编程电压2.7 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
部门规模4K,32K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度12 mm

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 256  892  1222  1357  1633 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved