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TE28F160B3TA110

产品描述3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
产品类别存储    存储   
文件大小122KB,共18页
制造商Intel(英特尔)
官网地址http://www.intel.com/
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TE28F160B3TA110概述

3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory

TE28F160B3TA110规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Intel(英特尔)
零件包装代码TSOP
包装说明12 X 20 MM, TSOP-48
针数48
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间110 ns
其他特性TOP BOOT BLOCK
启动块TOP
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度16777216 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模8,31
端子数量48
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
电源1.8/3.3,3/3.3 V
编程电压2.7 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
部门规模4K,32K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度12 mm

 
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