200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
200 A, 600 V, N沟道 IGBT
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 7 |
最大集电极电流 | 200 A |
最大集电极发射极电压 | 600 V |
加工封装描述 | M219, 7 PIN |
状态 | DISCONTINUED |
包装形状 | 矩形的 |
包装尺寸 | 凸缘安装 |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
包装材料 | UNSPECIFIED |
结构 | 系列 CONNECTED, CENTER TAPPED WITH BUILT-IN 二极管 |
元件数量 | 2 |
晶体管应用 | POWER 控制 |
晶体管元件材料 | 硅 |
通道类型 | N沟道 |
晶体管类型 | INSULATED GATE BIPOLAR |
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