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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MBR30100PT-E3
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MBR30100PT-E3

产品描述DIODE 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小28KB，共1页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准  
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MBR30100PT-E3概述

DIODE 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, Rectifier Diode

MBR30100PT-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Vishay(威世)
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-247AD
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流30 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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MBR3090PT thru MBR30100PT
New Product
Vishay Semiconductor
Rev. Voltage
90 to 100 V
Forward Current
30A
High Voltage Dual Schottky Rectifier
TO-247AD
0.245 (6.2)
0.225 (5.7)
0.645 (16.4)
0.625 (15.9)
0.323 (8.2)
0.313 (7.9)
0.203 (5.16)
0.193 (4.90)
0.078 REF
(1.98)
10
°
Features
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classifications 94V-0
• Dual rectifier construction, positive center-tap
• Metal silicon junction, majority carrier conduction
• Low power loss, high efficiency
• High current capability, low forward voltage drop
• High surge capability
• For use in low voltage, high frequency inverters,
free-wheeling, and polarity protection applications
• Guardring for overvoltage protection
• High temperature soldering guaranteed:
250°C/10 seconds, 0.17” (4.3mm) from case
30
0.170
(4.3)
0.840 (21.3)
0.820 (20.8)
0.142 (3.6)
0.138 (3.5)
10 TYP.
BOTH SIDES
1
2
3
0.086 (2.18)
0.076 (1.93)
1 REF.
BOTH
SIDES
0.118 (3.0)
0.108 (2.7)
0.127 (3.22)
0.160 (4.1)
0.140 (3.5)
0.795 (20.2)
0.775 (19.6)
0.117 (2.97)
PIN 1
PIN 3
Mechanical Data
Dimensions
in inches and
(millimeters)
PIN 2
CASE
0.030 (0.76)
0.020 (0.51)
0.225 (5.7)
0.205 (5.2)
0.048 (1.22)
0.044 (1.12)
Case:
JEDEC TO-247AD molded plastic body
Terminals:
Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity:
As marked
Mounting Position:
Any
Mounting Torque:
10 in-lbs max.
Weight:
0.2oz., 5.6g
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
Parameter
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum working peak reverse voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
(SEE FIG. 1)
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F(AV)
I
FRM
MBR3090PT
MBR30100PT
Unit
V
V
V
A
A
90
90
90
30
30
100
100
100
Peak repetitive forward current per leg at T
C
=105°C
(rated V
R
, square wave, 20 KH
Z
)
Peak forward surge current, 8.3ms single
half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
Peak repetitive reverse surge current
(NOTE 1)
I
FSM
I
RRM
R
ΘJC
dv/dt
T
J
T
STG
TBD
0.5
1.4
10,000
150
– 65 to +175
A
A
°C/W
V/µs
°C
°C
Thermal resistance from junction to case per leg
Voltage rate of change at (rated V
R
)
Maximum operating junction temperature
Storage temperature range
Electrical Characteristics
Parameter
Maximum instantaneous
forward voltage per leg at:
(NOTE 2)
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Symbol
I
F
= 15A, T
C
= 25°C
I
F
= 15A, T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
V
F
I
R
MBR3090PT
MBR30100PT
Unit
V
mA
0.85
0.75
1.0
60
Maximum instantaneous reverse current at
rated DC blocking voltage per leg
(NOTE 2)
Notes:
(1) 2.0µs pulse width, f = 1.0 KH
Z
(2) Pulse test: 300µs pulse width, 1% duty cycle
Document Number 88790
11-Dec-01
www.vishay.com
1

MBR30100PT-E3相似产品对比

MBR30100PT-E3 MBR3090PT MBR3090PT-E3 MBR30100PT
描述 DIODE 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, Rectifier Diode DIODE 30 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, Rectifier Diode DIODE 30 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, Rectifier Diode DIODE 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, Rectifier Diode
是否无铅 不含铅 含铅 不含铅 含铅
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
包装说明 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 TO-247AD TO-247AD TO-247AD TO-247AD
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 2 2 2 2
相数 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 30 A 30 A 30 A 30 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 100 V 90 V 90 V 100 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
JESD-609代码 e3 e0 e3 -
端子面层 MATTE TIN TIN LEAD MATTE TIN -

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