CDR35BX563BKZMAB,CDR35BX563BKZMAB pdf中文资料,CDR35BX563BKZMAB引脚图,CDR35BX563BKZMAB电路-Datasheet-电子工程世界

CDR35BX563BKZMAB: 产品描述CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 100 V, BX, 0.056 uF, SURFACE MOUNT, 1825, CHIP; 产品类别无源元件电容器; 文件大小91KB，共11页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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CDR35BX563BKZMAB概述

CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 100 V, BX, 0.056 uF, SURFACE MOUNT, 1825, CHIP

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Vishay(威世)
包装说明	, 1825
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
电容	0.056 µF
电容器类型	CERAMIC CAPACITOR
介电材料	CERAMIC
高度	1.5 mm
JESD-609代码	e0
长度	4.5 mm
安装特点	SURFACE MOUNT
多层	Yes
负容差	10%
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装形状	RECTANGULAR PACKAGE
封装形式	SMT
包装方法	BULK
正容差	10%
额定（直流）电压（URdc）	100 V
参考标准	MIL-PRF-55681/11
尺寸代码	1825
表面贴装	YES
温度特性代码	BX
温度系数	15% ppm/°C
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrie
端子形状	WRAPAROUND
宽度	6.4 mm

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